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暗电流（Dark Current）
势阱收集的是电子，对P-Si衬底来说，是P型半导体的少子。由于热激发，P型半导体总会有少量的电子生成，其数量与温度密切相关，230K~300K范围内少子数量与温度（K）的近似关系如下： 暗电流越小越好，一般以每秒每像素多少个电子给出。Greateyes GE-VAC 1024 256 BI UV1暗噪声0.0005 e-/pixel/sec @ -80℃热激发产生的电子是一种噪声，称为暗噪声（Da
2018-12-04 234
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![量子效率（Quantum Efficiency）（光谱特性）]()
量子效率（Quantum Efficiency）（光谱特性）
量子效率（Quantum Efficiency）（光谱特性）定义为CCD芯片在一定波长入射光的照射下，由光电效应产生的平均光电子数与入射光子数之比，表征了CCD芯片对不同波长入射光的敏感程度。不同波长的光量子效率不同，CCD对某些波长的量子效率可高达98%。光电子数量：入射方式l 当光从栅极一侧入射时，光会被栅极吸收一部分，并且某些波长的光子可能无法穿过栅极和SiO2绝缘层，量子效率低
2018-12-04 295
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![CCD的结构、工作原理和制造方法]()
CCD的结构、工作原理和制造方法
CCD结构和工作原理CCD每个像素是一个金属-氧化物-半导体（Metal-Oxidation-Semiconductor, MOS）单元，按制造方法大体上可分为：l 表面沟道电荷耦合器件（SCCD – Surface-channel Charge-Coupled Device）l 隐埋通道电荷耦合器件（BCCD – Buried Channel Charge-Coupled
2018-12-04 943
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![像素满井容量（Full-Well Capacity）]()
像素满井容量（Full-Well Capacity）
对科学级相机，一般为数百个ke。满井容量与栅极电压UG、绝缘层电容Cox、栅极面积Ad和P-Si掺杂浓度相关：Q=Cox×UG×AdGreateyes内真空相机 GE-VAC 1024 256 BI UV1，像素满井容量为500ke。满井容量高，则动态范围大。上述内容由我司Jerry Huang 整理收集，仅用于知识的分享和共同学习，未经过同意不得擅自转载。
2018-12-04 1356
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![CCD分辨率]()
CCD分辨率
单位面积的像素个数，分辨率与像素大小（面积）、单位面积或单位长度内像素个数相关。科学级CCD相机通常以像素大小和像素个数给出分辨率。如Greateyes内真空相机 GE-VAC 1024 256 BI UV1，像素个数为1024×256个，像素面积为26μm×26μm。
2018-10-17 214
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![CCD是什么？]()
CCD是什么？
CCD是Charge-Coupled Device电荷耦合器件的缩写。CCD是贝尔实验室W.S.Boyle和G.E.Smith于1970年发明的，由于它具有光电转换、信息存储、延时和将电信号按顺序传送等功能，且集成度高、功耗低，因此随后得到飞速发展，是图像采集及数字化必不可少的关键部件，广泛用于科学、教育、医学、商业、工业、军事和消费领域。
2018-10-17 297
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![CCD基本单元]()
CCD基本单元
CCD基本单元CCD基本单元为像素，按像素的排列方式有两种：1. 线阵CCD – 多个像素排成一行或一列，如扫描仪。2. 面阵CCD – 多个像素排成阵列。如家用CCD相机。科学级CCD相机一般是面阵。如Gr
2018-10-17 304
