劳厄(Laue)实时单晶定向系统

产品介绍

  劳厄单晶定向系统对于晶体切割、抛光、大装置实验准备以及涡轮叶片制造等许多工业应用至关重要。这些系统的关键性能通过对准精度、循环时间和劳厄软件的易用性来衡量。劳厄（Laue）单晶实时定向系统结合了多项关键创新。高分辨率、高灵敏度和坚固的 X 射线 CCD 相机具有无与伦比的有效面积，可用于测量劳厄衍射点。定制的风冷 X 射线源无需使用水冷，同时为标准系统提供光斑尺寸为 450 µm 的高亮度 X 射线束。

  专用软件套件允许用户驱动平移台、X 射线源、相机并执行劳厄分析。劳厄分析工具对于通过自动峰值标引加速单晶定向至关重要，使其成为真正用户友好且高效的工具。这种高探测器分辨率、明亮的衍射峰和小光斑尺寸的组合，使 Si 参考样品的典型曝光时间为 1-3 秒，精度为 0.1 度。最终成果是一种快速、准确的劳厄单晶定向工具，其设计充分考虑了易用性，从而提供了下一代劳厄单晶定向系统。

产品特点

ü  提供垂直、水平和晶粒取向映射（mapping）三种配置

ü  即插即用的紧凑型机柜系统 - 无需定制工作台或额外服务

ü  全自动电动 XYZ 平台和测角仪，提供手动选项

ü  CCD 背反射、高分辨率、高灵敏度 X 射线探测器

ü  风冷 X 射线源 - 无需水冷器

ü  标准光束尺寸为 450 µm，精细聚焦时为 250 µm

ü  使用机载的高分辨率观察相机快速精确对准小晶体

ü  距离测量工具，用于垂直配置的精确和可重复的样品定位

ü  专用 Laue 软件，用于完全控制、数据采集、处理和分析

ü  高通量样品筛选选项

垂直劳厄配置

垂直劳厄系统具有最灵活的配置，它使用垂直光束路径对多个孤立晶体或多个感兴趣区域进行高通量扫描。利用重力，样品无需粘附在平台上，从而更容易安装和定向晶体。   垂直系统还可以从水平光束机械指针升级到激光指导距离传感器，以优化样品到探测器的距离并纠正劳厄图案模拟以标引晶体。 小于 450µm（200 µm可选）的X射线光束尺寸，既可适用于亚毫米范围的样品，又可用于纳涡轮合金等较大的部件。

水平劳厄配置

水平光路系统非常适合晶体切割的定向或快速扫描晶体以识别反射。这种配置通常适合那些进行晶体切割的人，他们希望劳厄实验的几何形状与切割器相匹配。

晶粒映射(Mapping)系统

垂直系统配备特殊的摄像机、镜头、照明和映射软件，用于测量每个晶粒的方向。晶粒映射标配了全电动 XYZ 平台和测角仪。它是硅片晶粒测绘的理想选择。

主要参数

系统配置可选项

劳厄图像对准软件

ü  自动检测衍射点并根据参考晶体计算点位置

ü  根据测角仪和晶体轴自动计算误差方向（无需手动拟合或扭曲图案）

ü  直观的工作流程，适用于多用户操作和非专家晶体学用户

ü  以 CSV 格式保存角度测量值用于质量保证可追溯性

ü  内置宏接口用于自动执行重复例程

ü  兼容 CFL 数据文件

ü  远程访问控制用于持续服务支持和最大限度地减少停机时间

应用

ü  晶体生长

ü  实时晶体定向

ü  晶体表征

ü  晶体切割

ü  光伏检测

ü  宝石检测

ü  多晶硅晶片的二维取向mapping

ü  半导体晶体

ü  晶圆检测