哈特曼波前传感器板
-用FEL、同步辐射波前检测的2维孔阵列-利用深度反应离子蚀刻技术蚀刻到硅上加工示例:2D硅孔(间距:25mm,孔:12.5mm) 2D硅孔(间距:30mm,孔:3mm)
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-用FEL、同步辐射波前检测的2维孔阵列-利用深度反应离子蚀刻技术蚀刻到硅上加工示例:2D硅孔(间距:25mm,孔:12.5mm) 2D硅孔(间距:30mm,孔:3mm)
-用FEL、同步辐射波前检测的2维孔阵列
-利用深度反应离子蚀刻技术蚀刻到硅上
加工示例:
2D硅孔(间距:25mm,孔:12.5mm)
2D硅孔(间距:30mm,孔:3mm)
参数 | 典型值 | 加工极限 |
材料 | 10 µm Si薄膜 | Si, Au, W |
Aspect ratio | 10 | >30 |
Area | 薄膜: 4.5 mm x 4.5 mm | > 10 mm x 10 mm |
自由电子激光波前检测
同步辐射波前检测