X射线CMOS平板探测器及芯片

CMOS成像芯片

特点:◆ 卷帘曝光◆ 芯片内置温度监测器◆ 无损读出模式可选◆ 动态设置感兴趣区域◆ 可切换高满井(HFW)和低满井(LFW)两种模式,以适应高和低灵敏度应用

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特点:

◆ 卷帘曝光

◆ 芯片内置温度监测器

◆ 无损读出模式可选

◆ 动态设置感兴趣区域

◆ 可切换高满井(HFW)和低满井(LFW)两种模式,

以适应高和低灵敏度应用



型号有效区域(V*Hcm)像素V
像素H最高帧率(fps)动态范围(dB)
50μm像素
IS-131313.0×13.02600260016 (no binning)
30(1×2 binning)
LFW=64.4
HFW=75.1
AR-151111.0×14.52200290027LFW=69.1
HFW=80.8
PS-141214.0×12.02800240029LFW=69.9
HFW=73.6
PS-06066.0×5.41200107051LFW=69.9
HFW=73.6
75μm像素
IS-071211.4×6.5153686430(no binning)
86(2×2 binning)
LFW=71.0 HFW=73.8
IS-151211.4×14.915361984
100μm像素
IS-051010.3×5.11030512198LFW=71.0
HFW=73.8
IS-151010.3×15.41030153666
IS-313130.5×30.93052309066
NE-151111.0×14.511001450108LFW=70.8
HFW=79.3
NE-151515.0×15.11500150558
NE-222222.0×21.722012173108
HP-161515.0× 16.11500161068LFW=71.0
HFW=73.8
HP-23010.72×22.37623311360
150μm像素
IS-0510-15010.3×5.1688340300LFW=72.5
MFW=74.3
HFW=74.5
IS-1510-15010.3×15.36881020100




北京众星联恒科技有限公司CMOS成像芯片 datasheet 2020.7.16.pdf


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