薄膜生长原位监测掠入射小角散射(GISAXS)系统
图1. 原位薄膜GISAXS系统图2. 双离子束溅射示意图 此套解决方案，主要用于实时监测薄膜生长以优化沉积过程。薄膜生长的原位GISAXS测量目前主要通过同步辐射实现。本系统与客户的双离子束溅射装置完美匹配，在普通实验室就可进行相关测量，灵活性极高。 核心部件光源：Incoatec的IμS，Cu 靶Kα辐射，探测器：Dectris混合像素单光子计
此套解决方案，主要用于实时监测薄膜生长以优化沉积过程。薄膜生长的原位GISAXS测量目前主要通过同步辐射实现。本系统与客户的双离子束溅射装置完美匹配，在普通实验室就可进行相关测量，灵活性极高。
核心部件
光源：Incoatec的IμS，Cu 靶Kα辐射;
探测器：Dectris混合像素单光子计数二维X射线探测器Pilatus 200K。
无散射针孔;
beamstop
其中，专用于小角散射的IμS微焦源，发散角小，亮度高；且可被灵活准确的移动/转动，这对准确调整掠入射角度非常重要。
图1. 原位薄膜GISAXS系统
图2. 双离子束溅射示意图
小结：
全球首套实验室级实时监测薄膜生长的掠入射小角散射(GISAXS)系统。曝光时间仅为8s，入射角调到与临界角接近，可以达到实时沉积的亚单层灵敏度。
图3（a）. GISAXS原位测量的薄膜倒晶格空间
图3（b）.临界角处qy的时间演变