像素读出频率的限制
2020-03-02 16:24:14
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下限：为避免热激发产生的电子（暗电流）的影响，要求电荷包从一个栅极转移到下一个栅极所用时间t必须小于暗电子（P-Si少子）的平均寿命τi，平均寿命与温度相关，温度越高，寿命越短。对三相耦合读出结构来说，读出频率：
上限：转移时间应大于电荷从一个栅极移动到另一个栅极的时间τg
表面沟道CCD的读出频率≤10MHz
隐埋沟道CCD的读出频率≤240MHz
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